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    水冷+去應力退火對Ti31鈦合金鍛件沖擊性能的影響

    發布時間: 2024-07-29 11:07:50    瀏覽次數:

    Ti31(Ti-Al-Mo-Zr-Ni)合金是西北有色金屬研究院設計開發的一種中強近α型鈦合金,與同等強度 的鈦合金相比,具有明顯高的塑韌性、中溫熱強性、高溫持久性以及良好的耐蝕性與可焊性[1,2]。然而 Ni元素在鈦合金中屬于快共析元素,在冷卻過程中會析出Ti2Ni硬脆相,顯著降低材料的力學性能,尤其 是材料的沖擊性能[3,4]。針對大規格

    Ti31鍛件,由于其心部冷速較低,往往會在晶界上析出大量連續的Ti2Ni相,使得材料的沖擊性能明 顯下降。本文通過采用水冷+低溫去應力的退火方式,采用不同的固溶溫度、去應力退火溫度、去應力退 火時間,研究分析了水冷+低溫去應力退火對Ti31合金沖擊性能的影響,并進一步對于φ400×mm235mm鍛 件進行了實驗驗證。

    1、試驗材料與方法

    實驗用材料為西部鈦業有限責任公司生產的Ti31鍛件,該合金經VAR三次熔煉,并通過多火次墩拔 成型,其實測成分為Ti-2.90Al-1.06Mo-0.54Ni-1.68Zr,相變點為935℃~940℃。選擇對該批次鍛件進行 不同制度的熱處理,熱處理參數詳見表1。隨后對其分別進行室溫沖擊測試以及SEM分析,其中室溫沖擊 按照HB5144-1996《金屬室溫沖擊試驗方法》進行,其中每種熱處理制度取三組試樣測試,采用V型缺口 ;SEM分析采用JSM-6460型號鎢燈絲掃描電鏡。

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    2、試驗結果及討論

    2.1溫度對Ti31合金沖擊性能的影響

    圖1給出了不同的固溶溫度以及去應力退火溫度對Ti31合金沖擊吸收功的影響。從圖1可以看出, 在該種熱處理路線下,固溶溫度對于合金的沖擊性能幾乎沒有影響,而去應力退火對沖擊吸收功的影響很大 。當去應力退火溫度由450℃升至600℃時,合金的沖擊吸收功降低了約有20J。這是由于當退火溫度超過 550℃后,Ti31合金內部的晶界析出物開始明顯增加,尺寸也逐步增加,最終成為連續狀態[4]。

    t1.jpg

    這種在晶界處形成的Ti2Ni硬脆相會顯著降低沖擊失效過程中的裂紋萌生能,并進而損害到沖擊性能 。

    2.2去應力退火時間對Ti31合金沖擊性能的影響

    圖2給出了不同的去應力退火時間對Ti31合金沖擊吸收功的影響。從圖2可以看出,去應力退火時 間對于Ti31合金的沖擊性能影響較小。說明在450℃長時間保溫,Ti2Ni并不會發生聚集長大現象。這是由于Ti2Ni相的形成屬于共析反應,需要元素的擴散。而在低溫條件 下,元素擴散的驅動力受到抑制,Ti2Ni相難以進一步長大。

    t2.jpg

    2.3對大規格Ti31鍛件的實驗驗證

    對規格為φ400mm235mm的Ti31鍛件采用890℃1h/WQ+450℃4h/AC熱處理,其邊部與心部的 沖擊吸收功如表2所示,表2也給出了相同規格鍛件經普通退火后的沖擊吸收功。從表2可以看出,經 過水冷+低溫去應力退火后的合金沖擊性能遠遠高于普通退火態,并且心部沖擊性能略低于邊部。

    b2.jpg

    圖3給出了Ti31合金經水冷+低溫去應力退火之后邊部、心部以及普通退火態的SEM照片。從圖 3可以看出,經水冷+低溫去應力退火后,邊部組織晶粒要遠遠小于普通退火態,而心部組織要略微大于普通退火態。從沖擊吸收功的對比來看,說明此時晶粒大小并不是影響沖 擊性能的決定因素。

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    圖4給出了退火態組織的EDS分析,其晶界Ni含量分別為:2.56wt%、5.05wt、8.42wt%。從EDS 分析結果來看,大鍛件普通退火態組織晶界處Ni含量最高,遠遠高于宏觀成分0.54wt%,對應著最低的沖擊吸收功,說明晶界處高的富Ni區是導致沖擊吸收功降低的主要 因素。

    3、結論

    (1)水冷+低溫處理時,固溶溫度對Ti31合金沖擊性能影響不明顯;而隨著去應力退火溫度的升 高,合金的沖擊吸收功顯著降低。

    (2)水冷+低溫去應力退火的熱處理方式有利于改善大規格Ti31合金的沖擊性能。

    參考文獻:

    [1]陳勝川,劉彥昌,陳睿博,等.擠壓 溫度對Ti31合金管坯組織和力學性能的影響[J].熱加工工藝,2018,47(07):145-147.

    [2]趙永慶,常輝,李佐臣,等.西北有 色院創新研制的船用鈦合金[J].鈦工業進展,2003(6):12-16.

    [3]李標峰,余巍,劉茵琪.Ti2Ni相對 Ti-31合金焊縫金屬性能的影響[J].金屬學報,2002(z1):308-310.

    [4]李標峰,余巍,劉茵琪.Ti_2Ni相對 Ti31合金焊縫金屬沖擊韌性的影響[J].艦船科學技術,2002(04):61-64.

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